行业要闻
无线充电彻底解决了设备充电的繁琐，通过电磁场将电力从发射端传输到接收端，实现了可在无需物理连接的情况下给电池充电，此外无线充电还具有兼容性强、无裸露的电线连接、更加安全等优势。如今，越来越多的设备支持无线充电，如：智能手机和可穿戴设备、笔记本、平板电脑、电动工具、服务机器人（如吸尘器）、无人机、电动玩具、医疗设备、车充等等。
目前，有线充电的转换率在85%上下，而无线充电能耗相对高，不充电不拔也会持续耗电。对比有线充电，无线充电多了一个电能转磁场、磁场转电能的过程，以目前的技术，一般的无线充电器转化率在75%上下，加上充电过程原有的85%上下转化率，整个充电过程就只有60%-75%上下。因此，开发者有必要降低无线充电应用中的功率MOS的能耗，从而进一步提高无线充电效率。
新洁能专为无线充电推出30V系列的SuperTrench?功率MOSFET，通过屏蔽栅技术的电荷补偿效应，SuperTrench?功率MOSFET的特征导通电阻比普通沟槽MOSFET降低50%以上，开关损耗降低40%以上，可以大幅提升无线充电效率。同时，新洁能推出的应用于无线充电的半桥功率芯片，NCEB301Q、NCEB301G，可以减小无线充电方案体积，提高系统集成度。
新洁能为您提供丰富的功率MOSFET产品，多芯片合封系列产品满足您在无线充电方案中的应用，助您实现更高的能效和更轻薄的无线充电方案。
无线充电系统拓扑
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