振华永光IGBT芯片及多款模块产品成功下线

中国振华集团永光电子有限公司自主设计、制造沟槽栅+场截止型IGBT芯片及多款模块产品成功下线

　　IGBT作为电力电子领域的“CPU”，是工业控制和国防领域重要的基础器件，已成为整机系统提高性能指标和节能指标的产品，广泛应用于武器装备、航天、航空、变频电机、新能源汽车、可再生能源发电等领域。

　　近年来，中国振华集团永光电子有限公司（以下简称振华永光）积极布局高端功率半导体产业，在IGBT芯片及模块研发方面开展了卓有成效的工作，形成了自主研制国际主流技术水平的沟槽栅+场截止技术的IGBT芯片能力，目前已成功研制出自主设计的1200V/100A的IGBT芯片，电参数指标已达到国际知名企业同款产品水平。同时，依托振华永光五十多年来成熟的半导体分立器件封装、测试、可靠性筛选技术，先后攻克了大面积芯片低空洞率焊接、高可靠键合工艺以及无气泡灌封等功率模块封装方面的关键技术，成功研制出600V/200A、400A、600A，1200V/450A等多种封装外形的IGBT模块，具备了自主设计、制造中低压（600～1700V）IGBT模块产品能力，并初步建成高压大功率模块动、静态电参数测试和可靠性筛选测试平台。

　　下一步振华永光将在其母公司（中国振华科技股份有限公司）支持下进一步加大投入，一方面在成都成立IGBT产业化技术中心，另一方面将启动IGBT芯片背面加工生产线和模块封装生产线建设， 用1～2年的时间推动IGBT芯片和模块商业化应用，形成600V～1700V 系列化IGBT芯片设计、制造、封装、测试、应用开发能力，以抢占我国IGBT产业高地。

图1 自主研制的沟槽栅+场截止技术 1200V/100A IGBT芯片

　　图1 自主研制600V/200A、400A、600A IGBT模块

　供稿单位：中国振华集团永光电子有限公司（国营第873厂）